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  • 2017-06-06

    1、低功率IGBT:摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域。2、NPT-IGBT:在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性最高,正成为IGBT发展方向。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中。

  • 2017-06-06

    在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压,观察其PN结的电流变化情况,当PN结的反向电流出现剧烈增加时,此时施加到此PN结两端的电压值,就是此PN结的反向击穿电压。每个晶体管都有三个反向击穿电压,分别是:基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。此电参数对工程设计的指导意义是:决定了晶体管正常工作的电压范围。

  • 2017-06-06

    新闻晶体管在生产制造过程中,与一些我们常见的生产完全不一样。在晶体管的生产过程中,可以分成二大块:芯片制造和封装。在工程分类中,习惯把芯片制造统称为“前道”,而把封装行业统称为“后道”。在前道生产中,从投料开始选原材料,到芯片出厂,一切控制数据,给出的都是范围。芯片在正常生产时,投料的最小单位是“编号批”,每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。就以4寸片为例,每片可出合格的晶体管只数少则上千,多则可近10万。在实际生产中,最小生产单位是“扩散批”,一个扩散批所投的园片从150片到250片之间。可以想象出,在芯片的前道生产中,每次投料,对以单只来计算的晶体管而言,是一个什么样的数量概念。不说别的,要让一个扩散批所有的材料,具有相同的电特性(这里,也可以说是硅片的电阻率),是不可能的。加上硅片中,不可避免的会有一些固有的缺陷(半导体晶格的层错和位错),使得在几乎相同环境中生产出的同一品种的晶体管,不可能具有完全相同的电特性。这样只能给出一个大家都能接受的范围,这就是产品规格书。测试信息7新闻测试信息7



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