晶闸管有哪些参数呢?_IGBT模块_整流二极管模块_快恢复二极管模块_晶闸管模块_整流桥模块

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晶闸管有哪些参数呢?

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   晶体管的电参数,在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。但在实际的使用中,我发现还有许多想测而无法测量到的参数,为使工作方便,我便称其为“功能参数”。分别述之:

 

  一、极限参数

 

  所谓极限参数,是指在晶体管工作时,不管因何种原因,都不允许超过的参数。这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。在民用电子产品的应用中,基本只关心前三个。

 

  晶体管的反向击穿电压

 

  定义:在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压,观察其PN结的电流变化情况,当PN结的反向电流出现剧烈增加时,此时施加到此PN结两端的电压值,就是此PN结的反向击穿电压。

 

  每个晶体管都有三个反向击穿电压,分别是:基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。

 

  此电参数对工程设计的指导意义是:决定了晶体管正常工作的电压范围。

 

  由此电参数的特性可知,当晶体管在工作中出现击穿状态,将是非常危险的。因此,在设计中,都给晶体管工作时的电压范围,留有足够的余量。实际上,当晶体管长期工作在较高电压时(晶体管实测值的60%以上),其晶体管的可靠性将会出现数量级的下降。有兴趣的可以参考《电子元器件降额准则》。



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