如何改进IGBT?_IGBT模块_整流二极管模块_快恢复二极管模块_晶闸管模块_整流桥模块

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如何改进IGBT?

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    现在及未来IGBT可控硅技术改进的方向有下面几点:

  1,减小通态压降。达到增加电流密度、降低通态功率损耗的目的。

  2,降低开关时间,特别是关断时间。达到提高应用时使用频率、降低开关损耗的目的。

  3,组成IGBT的大量“原胞”在工作时是并联运行,要求每个原胞在工作温度允许范围内温度变化时保持压降一致,达到均流目的。否则会造成IGBT器件因个别原胞过流损坏而损坏。

  4,提高断态耐压水平,以满足应用需要。

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