世界各IGBT制造公司的技术动态_IGBT模块_整流二极管模块_快恢复二极管模块_晶闸管模块_整流桥模块

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世界各IGBT制造公司的技术动态

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    1、低功率IGBT

  摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域。


  2、NPT-IGBT

  在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性最高,正成为IGBT发展方向。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中。


  3、SDB--IGBT

  三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。


  4、超快速IGBT

  国际整流器IR公司研制的超快速IGBT可最大限度地减少拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品有6种型号。


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