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晶闸管的不同参数在使用中有哪些不同的意义呢?

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    晶闸管的电参数,在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。但在实际的使用中,我发现还有许多想测而无法测量到的参数,为使工作方便,我便称其为“功能参数”。分别述之:


  极限参数:

  所谓极限参数,是指在晶体管工作时,不管因何种原因,都不允许超过的参数。这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。在民用电子产品的应用中,基本只关心前三个。


  晶体管的反向击穿电压:

  定义:在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压,观察其PN结的电流变化情况,当PN结的反向电流出现剧烈增加时,此时施加到此PN结两端的电压值,就是此PN结的反向击穿电压。

  每个晶体管都有三个反向击穿电压,分别是:基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。

  此电参数对工程设计的指导意义是:决定了晶体管正常工作的电压范围。




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