可控硅的过压保护

2022-01-18

可控硅元器件的电压和电流过载能力极差，尤其是耐压能力，瞬时的过压便会导致元器件永久性的毁坏。

为了能使元器件能长期可靠地运行，必须针对过压和过电流发生的因素实行保护措施。

过压保护

可控硅作业过程中将会承担的过压主要有下列几类：1种是因为设备拉、合闸、负载打火等引发的过压；1种是因为元器件关断时产生的关断电压；再有因雷击等因素从电网侵入的浪涌电压。

为限制过电压的幅值低过元器件的正反向峰值电压，可实行下列保护措施(见图二)。

(1)在变压器1次侧连上避雷器，在2次侧加装阻容保护、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元器件进行保护。在整流直流侧实行压敏电阻和泄能保护设备，以避免元器件承担过电压。

(2)在可控硅阴阳极两端直接进行保护。可控硅关断过程中主电流过零反方向后快速由反方向峰值恢复至零电流，此过程可在元器件两端产生达正常作业峰值电压5-6倍的尖峰电压。

通常建议在最大限度接近元器件本身的地方连上阻容吸收电路。

电阻R选无感电阻，通常取5-30Ω；电容C通常在0.1-1μF，耐压选元器件耐压的1.1-1.5倍。

详细R、C取值可依据元器件型号及工作情况调试确定。注意保证电阻R的功率，特别是在在中频逆变线路中，使之不能因发热而毁坏。

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