综述
晶闸管生产厂家传承电子讲解晶闸管模块(VT)又被称为可控硅(SCR)模块。它是一类功率大的的半导体开关元器件,其品种许多,有通用型、双向型、可关断型、快速型和光控型等。通用型晶闸管模块。它的外型有螺栓式、金属壳封装和塑封式等多种。

它们都是3个电极,即阳极A、阴极K和控制极G。螺栓式晶闸管模块的螺栓端为阳极,另一头引线较粗的为阴极,细的为控制极G。用时把阳极扭紧在散热器上,通常在中小功率线路中使用这种构造散热。压模塑料封装式晶闸管模块的阴极、阳极和控制极按顺序排列。用时将螺钉穿过管子的散热片(阳极)小孔与外加散热器拧在一起,通常在小功率线路中使用这种构造散热。以上散热片均带电,应留意与仪器设备柜绝缘。

可控硅晶闸管模块 子类别

亮点
如何分辨可控硅模块的3个极

分辨可控硅模块3个极的方式非常简单,依据P-N结的工作原理,只需用万用表测量一下3个极间的电阻值就可以。阳极与阴极间的正向和反方向电阻值在几百千欧之上,阳极和控制极间的正向和反方向电阻值在几百千欧之上(它们间有两个P-N结,并且方向相反,所以阳极和控制极正反向都不通)。

控制极与阴极间是一个P-N结,所以它的正向电阻值大概在几欧-几百欧的区域,反方向电阻值比正向电阻值要大。

但是控制极二极管特性是不太理想的,反方向并非完全呈阻断状况的,可以有比较大的电流通过,所以,有时测出控制极反方向电阻值比较小,并不能说明控制极特性不好。此外,在检测控制极正反向电阻值时,数字万用表应放于R*10或R*1挡,避免电压过高控制极反方向击穿。

若测出元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反方向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
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可控硅模块是PNPN四层三端元器件,共有3个PN结。解析原理时,可以把它当作是由1个PNP管和1个NPN管所组成,其等效电路图解如图1(a)所示,图1(b)为可控硅模块的电路符号。
图1可控硅模块等效电路图解图

可控硅模块的工作原理

可控硅模块是四层三端元器件,它有J1、J2、J33个PN结,可以把它中间的NP划分两部分,组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管。

(1)当可控硅模块承担正向阳极工作电压时,为使可控硅模块导通,必须使承担反向工作电压的PN结J2失去阻挡作用。每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以是2个互相复合的晶体管线路,当有足够的门极电流Ig流入时,便会产生明显的正反馈,引发两晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流主要为IC1和IC2,发射极电流相对为Ia和Ik,电流放大系数相对为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,可控硅模块的阳极电流相当于两管的集电极电流和漏电流的之和:

Ia=IC1+IC2+ICO=α1Ia+α2Ik+ICO(1)

若门极电流为Ig,则可控硅模块阴极电流为:Ik=Ia+Ig。

所以,可以得出可控硅模块阳极电流为:
(2)硅PNP管和硅NPN管相对的电流量放大系数α1和α2随其发射极电流量的改变而急剧改变。当可控硅模块承担正向阳极电压,而门极未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故可控硅模块的阳极电流量Ia≈ICO,可控硅模块处在正向阻断模式;当可控硅模块在正向门极电压下,从门极G流入电流量Ig,因为足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提升放大系数α2,产生足够大的集电极电流量IC2流过PNP管的发射结,并提升了PNP管的电流量放大系数α1,产生更大的集电极电流量IC1流经NPN管的发射结,这种强烈的正反馈过程快速进行。

当α1和α2随发射极电流量提升而导致(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提升了可控硅模块的阳极电流量Ia。这时,流过可控硅模块的电流量完全由主电路的电压和回路电阻决定,可控硅模块已处在正向导通模式。可控硅模块导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即便 这时门极电流量Ig=0,可控硅模块仍能维持原先的阳极电流量Ia而继续导通,门极已失去作用。

在可控硅模块导通后,要是不断地降低电源电压或增大回路电阻,使阳极电流量Ia降低到维持电流量IH之下时,因为α1和α2快速下降,可控硅模块恢复到阻断模式。 

以上就是传承电子厂家供应的可控硅晶闸管模块产品介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。