综述
快恢复二极管模块的内部构造与一般PN结二极管模块不一样,它属于PIN结型二极管模块,即在P型硅材料与N型硅材料之间添加了基区I,组成PIN硅片。

快恢复二极管模块 子类别

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快速恢复二极管模块的基本工作原理

因为PD的主要有源区是势垒区,所以展宽势垒区便可提升灵敏度。p-i-n结快恢复二极管模块实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度进行扩展,即选用较宽的本征半导体(i)层来替代势垒区,而转变成了p-i-n结。


图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流,Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流管上的正向电压突然变成反向电压,因此,正向电流迅速减小,在t=t1时刻,I=0。然后整流管上的反向电流IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并且在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。由t1到t3的时间间隔即为反向恢复时间trr。图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正方向电流,IRM为最大反向恢复电流,Irr为反向恢复电流,一般规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正方向电流I=IF。当t>t0时,因为整流管上的正方向电压一下子转变成反方向电压,所以,正方向电流快速减小,在t=t1时刻,I=0。随后整流管上的反方向电流IR慢慢增加;在t=t2时到达最大反向恢复电流IRM值。之后受正方向电压的作用,反方向电流慢慢减小,并且在t=t3时到达规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似点。由t1到t3的间隔时间即是反向恢复时长trr。

一般而言,快恢复二极管模块的正方向压降小,0.4V左右,而一般的硅管在0.6V左右,为了降低损耗才用快恢复二极管模块。

假如快恢复二极管模块反方向击穿电压是40V,反方向击穿以后可以快速恢复;假如快恢复二极管模块反方向击穿电压1000V,则不会有反方向击穿的问题,所以这点在直流电路中是可以无需考虑。


传承电子是一家快恢复二极管模块生产厂家,以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。