快恢复二极管工厂_快恢复二极管厂家 - 传承电子科技(江苏)有限公司

综述

快恢复二极管模块的内部构造与一般PN结二极管模块不一样，它属于PIN结型二极管模块，即在P型硅材料与N型硅材料之间添加了基区I，组成PIN硅片。

快恢复二极管模块子类别

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快恢复二极管模块

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快速恢复二极管模块的基本工作原理

因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区便可提升灵敏度。p-i-n结快恢复二极管模块实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度进行扩展，即选用较宽的本征半导体（i）层来替代势垒区，而转变成了p-i-n结。

图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流管上的正向电压突然变成反向电压，因此，正向电流迅速减小，在t=t1时刻，I=0。然后整流管上的反向电流IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并且在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。由t1到t3的时间间隔即为反向恢复时间trr。图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正方向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，一般规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正方向电流I=IF。当t＞t0时，因为整流管上的正方向电压一下子转变成反方向电压，所以，正方向电流快速减小，在t=t1时刻，I=0。随后整流管上的反方向电流IR慢慢增加；在t=t2时到达最大反向恢复电流IRM值。之后受正方向电压的作用，反方向电流慢慢减小，并且在t=t3时到达规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似点。由t1到t3的间隔时间即是反向恢复时长trr。

一般而言，快恢复二极管模块的正方向压降小，0.4V左右，而一般的硅管在0.6V左右，为了降低损耗才用快恢复二极管模块。

假如快恢复二极管模块反方向击穿电压是40V，反方向击穿以后可以快速恢复；假如快恢复二极管模块反方向击穿电压1000V，则不会有反方向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以无需考虑。