联系我们

服务热线:

0512-36859888

公司地址:

江苏省昆山市朝阳东路99号

常见问题
当前位置: 传承电子 » 常见问题

如何改进IGBT?

分类:常见问题 发布:2017年08月02日 10:09 浏览:1009次 Tag:

 现在及未来IGBT可控硅技术改进的方向有下面几点:

1,减小通态压降。达到增加电流密度、降低通态功率损耗的目的。

2,降低开关时间,特别是关断时间。达到提高应用时使用频率、降低开关损耗的目的。

3,组成IGBT的大量“原胞”在工作时是并联运行,要求每个原胞在工作温度允许范围内温度变化时保持压降一致,达到均流目的。否则会造成IGBT器件因个别原胞过流损坏而损坏。

4,提高断态耐压水平,以满足应用需要。

上一篇:暂无

下一篇:晶闸管的选用以及代换知识?

相关文章
 
收缩
  • 电话咨询

  • 0512-36859888