逆导可控硅(RCT)是什么?

2021-10-28

逆导可控硅模块的符号、等效线路如下图1(a)、(b)所显示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导可控硅模块的伏安特性具备不对称性,正方向特性与普通可控硅模块SCR相同,而反方向特性与硅整流管的正方向特性相同(仅坐标位置不同)。 逆导可控硅模块的典型产品外型见图1(c)。它选用TO-220封装,3个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。 逆导可控硅模块的基本参数如下所示:断态重复峰值电压VDRM:>750V通态平均电流IT(AV):5A最大的通态电压VT:3V(IT=30A)最大的反向导通电压VTR:<0.8V最大的...

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igbt的工作原理是什么?

2021-10-27

igbt的等效线路如下图1所显示。由图1可知,若在igbt的栅极和发射极间添加驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极间成低阻状态而促使晶体管导通;若igbt的栅极和发射极间电压为0V,则MOSFET断开,切断PNP晶体管基极电流的供应,促使晶体管断开。 由此可知,igbt的安全可靠是否主要由下列因素确定:1、igbt栅极与发射极间的电压;2、igbt集电极与发射极间的电压;3、流经igbt集电极-发射极的电流;4、igbt的结温。倘若igbt栅极与发射极间的电压,即驱动电压过低,则igbt无法稳定正常地运行,倘若过高超出栅极-发射极间的耐压则igbt将会...

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热敏可控硅模块温度报警电路图

2021-10-26

热敏可控硅模块又叫可控硅模块温度开关器,它是1种PNPN结,是由3个PN结串接而成的三端半导体器件。它有3个电极,即阳极、阴极和门极,线路图形符号如下图285a、b所显示,文字符号用VTT表达。热敏可控硅模块的构造特性与普通可控硅模块(VTH)大致相同。只是VTT用离子注入法使其构造对温度非常敏感,可使元器件由正方向阻断模式向导通模式的转变完成温度控制作用,即温度触发,当温度上升时,ⅥT'内形成很多的电子空穴对,被PN结搜集,这就等同于在门极G触发状况下的栅加入一样,会转变热敏可控硅模块的开关电压值,且在不同温度下开关电压值不同。图c中安装了3个热敏可控硅模块VTT,各自置于3个监视点。当某一条路中的温度到达了热敏可...

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igbt功率模块内部电阻参数

2021-10-25

igbt模块晶体管是集GTR与MOSFET两者优势于一体的复合元器件,它不仅有MOSFET的输入阻抗高、速度更快、开关损耗小、驱动线路简单、规定驱动功率小、极限工作温度高、易驱动的特性,又具备功率晶体管GTR的通态电压低、耐压高和电流容量大的优势,为电压控制通断的自断开元器件,其频率特性处于MOSFET与功率晶体管间,可常规运行于数十kHz频率范围内,功率元器件igbt模块正日益普遍地运用于体型小、噪音低、特性高的变频电源及大功率的交流伺服电机的调速系统中,在较高频率的大、中功率运用中占据了主导地位,并已開始在上述行业中替代功率双极性晶体管GTR和功率场效应管MOSFET中。与GTR和MOSFET一致,igbt模块运用的关键...

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晶闸管模块为何其有“以小控大”的可控性呢?

2021-10-22

第一,我们可以把从阴极往上数的第一、二、三层看面是1只NPN型号晶体管,而二、三四层构成另一只PNP型晶体管。当中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极间添加1个正方向电压Ea,又在控制极G和阴极C间(相当于BG1 的基一射间)輸入1个正的触发信号,BG1 将形成基极电流Ib1 ,经扩大,BG1 将有个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相接,IC1 也是BG2 的基极电流Ib2。BG2 又把比Ib2 (Ib1 )扩大了β2的集电极电流IC2 送回BG1 的基极扩大。这般循环扩大,直至BG1 、BG2 彻底导通。实际这个过程是“一触即发”的过程,对晶闸管模块而言,触发信号添加控制极,晶闸管...

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