可控硅模块元器件的构造

2021-06-17

1种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端元器件，研发于1957年，因为它性能类似真空闸流管，因此国际上统称为硅晶体闸流管，简称为晶闸管T。又因为晶闸管起初使用于可控整流层面因此又称之为硅可控整流元器件，简称为为可控硅模块SCR。

在性能上，可控硅模块不但具备单向导电性，且还具备比硅整流元器件（别名“死硅”）更加珍贵的可控性。它唯有导通和断开2种模式。

可控硅模块能以毫安级电流操控大功率的机械设备，倘若超出此频率，因元器件开关损耗明显增多，准许经过的平均电流相减少，这时，标称电流应降级使用。

可控硅模块的优点不少，比如：以小功率操控大功率，功率放大倍数高达几十万倍；响应讯速，在微秒级内导通、断开；无触点运作，无火花、无噪音；效率高，成本费用低等。

可控硅模块的缺陷：静态及动态的过载性能较弱；易受干扰而误导通。

可控硅模块从外型上归类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模块元器件的构造

无论可控硅模块的外型怎样，它的管芯都是由P型硅和N型硅构成的四层P1N1P2N2构造。见图1。它有3个PN结（J1、J2、J3），从J1构造的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出操控极G，因此它是1种四层三端的半导体器件。

图1、可控硅模块结构示意图和符号图

以上就是传承电子对可控硅模块元器件的构造的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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