可控硅模块检测时的注意事项

2021-07-22

（1）在检测大功率GTO元器件时，提议在R×1档外部串接一节1.5V电池E′，以增强检测电压和检测电流，使GTO可靠地导通。

（2）要精确测量GTO的关断增益βoff，需要有专用测试设备。但在业余条件下可以用以上办法完成估测。鉴于检测条件不一样，测量结果仅作参考，或做为相对比较的依据。

逆导可控硅RCT(Reverse-ConducTI社区">TIngThyrisTI社区">TIr)亦称反向导通可控硅。

其特性是在可控硅的阳极与阴极间反方向并接1只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路模式。鉴于这种特殊线路构造，使之具备耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。

比如，逆导可控硅的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，强于快速可控硅（FSCR）。该元器件适用开关电源、UPS不间断电源中，1只RCT就可以替代可控硅和续流二极管各1只，不但使用便捷，同时能简易化电路设计。

逆导可控硅的伏安特性具备不对称性，正方向特性与普通可控硅SCR一致，而反方向特性与硅整流管的正方向特性一致（仅坐标位置不一样）。

逆导可控硅的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF。它选用TO-220封装，3个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：

断态重复峰值电压VDRM：＞750V

通态平均电流IT（AV）：5A

最大通态电压VT：3V（IT=30A）

最大反向导通电压VTR：＜0.8V

最大门极触发电压VGT:4V

最大门极触发电流IGT:40mA

关断时间toff:2.4μs

通态电压临界上升率du/dt:120V/μs

通态浪涌电流ITSM:80A

以上就是传承电子对可控硅模块检测时的注意事项的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

上一篇：igbt串联谐振式电压型逆变运行环节

下一篇：igbt功率模块高压变频调速电源的意义

关注微信公众号，了解更多资讯