随之半导体元器件制作技术的不断完善和制造技术的提升，半导体功率元器件正向着大电流、高电压、快通断、功能损耗小、易保护、模块化方向发展，现在已经出现了双极性晶体管GTR、功率场效应管MOSFET、功率绝缘栅控双极性晶体管igbt模块。

功率igbt模块是电压驱动元器件，具备一个(3～6)V的阈值电压，有个很大的容性输入阻抗，对栅极电荷十分敏感，故驱动线路一定很可靠，igbt模块开关特性和安全工作区随之栅极驱动线路特性的变化而变化，驱动线路特性直接确定igbt模块能否常规运行，igbt模块常选用栅极驱动，与其它自断开元器件一致，igbt模块对驱动线路也是有一些特别要求。

极驱动电压UGE。在igbt模块开通时，脉冲前沿很陡的栅极电压加到栅极和发射极间，使igbt模块迅速开通，开通时间短，减少开通耗损;在断开时，下降沿陡的反方向偏置电压加到栅极与发射极间，使之迅速断开，减少断开耗损。所以，用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以确保栅极控制电压UGE有充足陡的前后沿，使igbt模块的开关损耗尽量小。igbt模块导通中及瞬间过载时，栅极驱动源理应能供应充足的功率，使igbt模块不退出饱和而毁坏。

阈值电压UGE(th)由元器件本身特性确定，实际运用中UGE应不小于(1.5～2.5)UGE(th)，以利取得最小导通压降。当UGE增多时，导通模式下的集射电压UCE压减少，通态压降和开通耗损均下降;但负载过程中UGE增多，集电极电流Ic也随着增加，igbt模块能承担短路电流的時间减少，对其安全性不好，所以在有短路环节的设施中Uge应取得小些，因为饱和导通电压是igbt模块发热的关键因素之一，所以必须尽可能减少。

综合考虑到，通常选+15V;igbt模块断开时，栅射极间加反偏电压有助于igbt模块快速断开，但反偏电压-UGE受栅射极间反方向最大耐压限制，过大则导致栅射极的反方向击穿，通常-UGE为(-2～-10)V，通常取-5V关栅电压。线路上选用稳压管的方式，用+20V电压来形成+15V开栅电压和-5V关栅电压。

以上就是传承电子对igbt的内部电压参数的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。