可控硅投切电容器的基本原理是什么

2021-12-14

可控硅投切电容器（TSC）是借助可控硅用作无触点开关的无功补偿设备，它按照可控硅具备精确的环节，快速并平稳的切割电容器，与机械投切电容器对比，可控硅具备使用期限长，开、关无触点，抗机械应力作用强和动态开关特性优异等优势。

可控硅的投切时刻可以精确控制，能快速的将电容器连接电网，有力的降低了投切时的冲击电流的优势。可控硅投切电容器（TSC）按电压等级区划为：低压补偿形式和高压补偿形式。低压补偿形式适用1kV及之下电压的补偿，高压补偿形式（即补偿系统直接连接电网采用高压补偿）则对6～35kV电压采用补偿。

可控硅投切电容器（TSC）是借助可控硅用作无触点开关的无功补偿设备，它按照可控硅具备精确的环节，快速并平稳的切割电容器，与机械投切电容器对比，可控硅具备使用期限长，开、关无触点，抗机械应力作用强和动态开关特性优异等优势。可控硅的投切时刻可以精确控制，能快速的将电容器连接电网，有力的降低了投切时的冲击电流的优势。

可控硅投切电容器（TSC）按电压等级区划为：低压补偿形式和高压补偿形式。低压补偿形式适用1kV及之下电压的补偿，高压补偿形式（即补偿系统直接连接电网采用高压补偿）则对6～35kV电压采用补偿。

可控硅投切电容器（TSC）按使用范围区划为：负荷补偿形式和集中补偿形式。负补偿形式是直接对某一负荷采用针对性动态补偿以克服对电网的无功冲击，集中补偿形式是对电网供电采用系统的补偿，以克服整个电网无功功率波动的问题。

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