文中研究的内容便是1种在实际项目中运用的可控硅模块阀组的触发线路设计。

触发脉冲电流的上升沿时间越短、峰值越大，可控硅模块导通扩散的速率就越快，当全部可控硅模块导通时间都大大缩短后，可控硅模块中导通的对应一致性就大大提高，进而降低了串连阀中少数可控硅模块长时间承担过高电压而毁坏的几率。
触发线路构成与运行原理

触发线路内部结构如下图1所显示，包括下列几个部份。

1)单相隔离配电变压器T1变比为AC220/AC220、1次侧与2次侧间绝缘电压35kV，为脉冲电路供应生成脉冲电流所需要的能量。

2)充电限流电阻R3限制电容C1的充电电流。

3)防反流二极管D0避免电容C1向变压器T1倒送能量。

4)储能脉冲电容器C1储存生成脉冲所需要的能量，最大充电电压Uc可达310V。

5)阻容电路部份的R2和C2起调整脉冲波型形状的作用。

6)脉冲CT变比20/1，借助脉冲CT生成最终触发脉冲。

7)放电电阻器R1限制放电电流。

8)非线性电阻器R4其转折电压为400V，用作保护MOSFET。

9)脉冲信号板用作接收控制器借助光纤发来的脉冲光信号，通过光电转换，驱动MOSFET(IRFP460)导通与断开，使电容C1受控制器的控制进行放电。脉冲信号板从变压器T12次侧取能，借助单相变压器AC220/AC20，通过整流滤波，由7805和7812輸出稳定的+5V和+12V电源，为脉冲信号板供应配电电源。

10)BOD模块用作保护可控硅模块在承担过电压时触发导通，避免可控硅模块被高压击穿。

触发线路运行原理：隔离变压器T11次侧接AC220V电源，2次侧借助电阻器R3和二极管D0向电容C1充电，当C1上的电压做到峰值AC220V，即310V左右时，二极管反方向截止，电容C1上维持310V左右的电压。当控制器输出触发脉冲信号，信号通过光纤传导至脉冲信号板，经光电转换后驱动MOSFET导通，电容C1开始借助电阻器R1放电，如此便有瞬间大电流借助8个接在可控硅模块门极的CT，借助CT并且生成8路可控硅模块触发电流信号。

以上就是传承电子介绍的高压可控硅模块串连阀触发线路构成与运行原理，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。