igbt模块(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS构造双极元器件，属于具备功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。igbt模块的用范围通常都是在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等行业。

按照封装的不同，igbt模块大体上分成2种类型，1种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表层贴装都已形成系列。另一种是把igbt模块与FWD（FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要用在工业上。模块的类型按照用途的不同，分成多种形状及封装方式，都已形成系列化。

igbt模块是强电流、高压用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现1个较高的击穿电压BVDSS需要1个源漏通道，而这个通道却具备很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具备RDS(on)数值高的特征，igbt模块消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

尽管新一代功率MOSFET元器件大幅度改善了RDS(on)特性，但在高电平时，功率导通耗损依然要比igbt模块高出很多。igbt模块较低的压降，转换成1个低VCE(sat)的能力，以及igbt模块的构造，与同一个标准双极元器件相比，可支持更高电流密度，并简化igbt模块驱动器的原理图。

igbt模块的构造与工作原理

图1所示为1个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管构造，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。元器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是igbt模块特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低元器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

igbt模块的开关作用是通过加正方向栅极电压生成沟道，给PNP晶体管供应基极电流，使igbt模块导通。反过来，加反方向门极电压消除沟道，流经反方向基极电流，使igbt模块断开。igbt模块的驱动方式和MOSFET基本一致，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具备高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道生成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减少N一层的电阻，使igbt模块在高电压时，也具备低的通态电压。

以上就是传承电子对绝缘栅双极晶体管(igbt模块)的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。