IGBT的过热保护方法

2022-05-07

IGBT的损耗功率关键涉及开关损耗和导通损耗，前面一种随开关频率的增高而增大，占整体损耗的主要部分;后面一种是IGBT控制的平均电流与电源电压的乘积。

因为IGBT是功率大的半导体器件，损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时)，加上IGBT的结温无法高于125℃，不适合长期性运行在较高环境温度下，所以要选用得当的散热方案进行过热保护。

散热通常是选用散热器(涉及普通的散热器与热管散热器)，并可进行强迫风冷。散热器的架构设计应符合：

Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-IGBT的运行结温

P△-损耗功率

Rjc-结-壳热阻

Rcs-壳-散热器热阻

Rsa-散热器-环境热阻

Tjm-IGBT的最高结温

在具体工作中，我们选用普通的散热器与强迫风冷相结合的方案，并在散热器上装温度开关。

当环境温度到达75℃～80℃时，利用SG3525的关闭信号终止PMW传送控制信号，进而使驱动器封锁IGBT的开关输出，并给予关断保护。

以上就是传承电子设计师对IGBT的过热保护方法的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。

传承主要供应各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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