igbt模块的静态工作特性

2022-05-10

igbt模块的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

igbt模块的伏安特性指的是以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止模式下的igbt模块，正方向电压由J2结承担，反方向电压由J1结承担。倘若无N+缓冲区，则正反方向阻断电压可以达到同样的水平，进入N+缓冲区后，反方向断开电压只可以达到几十伏水平，所以限制了igbt模块的某一些使用范围。

igbt模块的转移特性指的是输出漏极电流Id与栅源电压Ugs间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性一样，当栅源电压低于开启电压Ugs(th)时，igbt模块处在断开模式。在igbt模块导通后的大多数漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值通常取为15V左右。

igbt模块的开关特性指的是漏极电流与漏源电压间的关系。igbt模块处在导通态时，因为它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效线路为达林顿构造，但流经MOSFET的电流变成igbt模块总电流的主要部分。这时，通态电压Uds(on)可以用下式表明：

Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh

式中Uj1——JI结的正方向电压，其值为0.7～1V；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。

通态电流Ids可以用下式表明：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos——流经MOSFET的电流。

因为N+区存在电导调制效应，所以igbt模块的通态压降小，耐压1000V的igbt模块通态压降为2～3V。igbt模块处在断态时，仅有很小的泄漏电流存在。

以上就是传承电子对igbt模块的静态工作特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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