igbt的动态工作特性

2022-05-12

igbt在开通过程中，大多数时间是当作MOSFET来运作的，仅是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际上使用中常给出的漏极电流开通时间ton即是td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2即是。

igbt的触发和断开要求给其栅极和基极间再加上正方向电压和负向电压，栅极电压可由不一样的驱动线路产生。当选择这类驱动线路时，务必基于之下的参数来进行：元器件断开偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为igbt栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过因为igbt的输入电容较MOSFET为大，故igbt的断开偏压应当比很多MOSFET驱动线路供应的偏压更高。

igbt的开关速度低过MOSFET，但明显高过GTR。igbt在断开时不用负栅压来减小断开时间，但断开时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。igbt的启用电压约3～4V，和MOSFET相当。

igbt导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。

正式商用的高压大电流igbt元器件迄今还没出现，其电压和电流容量还很有限，远远无法满足电力电子应用技术发展的需求，尤其是在高压领域的很多使用中，要求元器件的电压等级到达10KV以上。现阶段只可以通过igbt高压串连等技术来实现高压使用。

同时，各大半导体生产厂商持续开发igbt的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要选用1ｕm之下制作工艺，研制开发获得一些新进展。

以上就是传承电子对igbt的动态工作特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

上一篇：可控硅内部结构与工作原理

下一篇：可控硅模块运行特性介绍

关注微信公众号，了解更多资讯