全新600 V CoolMOS? PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计 -

全新600 V CoolMOS? PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

2021-01-04

2020年2月13日，德国慕尼黑讯——通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率驱动和特定照明应用。

稳健度与可靠度提高，加上效率提高，开关损耗降低，以及热性能改进，使得该产品系列成为当代工程设计的终极之选。CoolMOSTM PFD7系列符合移动产品追求小型化和轻量化以及大型家电追求节能高效的趋势，有助于在经济高效的基础上突破超高功率密度设计的极限。该系列器件在轻载条件下尤为高效，同时仍能满足抗电磁干扰的要求。

这些开关具备出色的品质因数RDS(on) x QRR。通过集成的快恢复体二极管，它还具有卓越的换向稳定性。门极集成的齐纳二极管支持最高达到2 kV的静电放电（ESD）保护。英飞凌能提供125 m?到2000 m?之间的多种RDS(on)值。广泛的封装选择使得很容易选出合适的产品来实现设计的优化，最终为客户带来更大便利。

供货情况
CoolMOS PFD7系列现已供货。

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