igbt模块的M57959L/M57962L厚膜驱动线路

2021-04-26

M57959L/M57962L厚膜驱动线路选用双电源（+15V，-10V）配电，输出负偏压为-10V，I/O电平与TTL电平兼容，备有短路/过载保护和封闭型短路保护作用，此外兼具延迟保障特性。其各自适用于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A和之下的IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时，驱动实际效果和各类性能呈现良好，但当其运作在高频下时，其脉冲前后沿变的较差，即信号的最大传送宽度受限制。且厚膜內部选用印刷线路板设计，排热并不是很好，很容易因过热导致內部元件的烧坏。

M57959L集成IGBT专用的驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz，选用双电源配电（+15V和-15V）输出电流峰值为±2A，M57959L有之下特性：

（1）选用光耦完成电器隔离，光耦是快速型的，适用20KHz上下的高频开关运作，光耦的原边已串连限流电阻，可将5V电压直接加到输入侧。

（2）倘若选用双电源驱动工艺，输出负栅压较高，电源电压的极限值为+18V/-15V，通常取+15V/-10V。

（3）信号传送延迟时间短，低电平-高电平的传送延迟和高电平-低电平的传送延迟时间都在1.5μs之下。

（4）兼具过流保护作用。M57962L经过检测IGBT的饱和压降来辨别IGBT是不是过流，要是过流，M57962L便会将对IGBT实施软断开，并输出过流故障信号。

（5）M57959的内部构造如图所示，这一线路的驱动部份与EXB系列产品相近，但过流保护上有所差别。过流检测仍使用电压采样，线路特性是选用栅压缓降，完成IGBT软断开。

规避了断开中过电压和大电流冲击，此外，在断开环节中，输入控制信号的情况失去作用，既保障断开是在封闭情况中完成的。当保障开始时，即刻送出故障信号，目的是断开控制信号，以及线路中其余有源器件。

以上就是传承电子igbt模块的M57959L/M57962L厚膜驱动线路的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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