igbt模块的M57959L/M57962L厚膜驱动线路

2021-04-26

M57959L/M57962L厚膜驱动线路选用双电源(+15V,-10V)配电,输出负偏压为-10V,I/O电平与TTL电平兼容,备有短路/过载保护和封闭型短路保护作用,此外兼具延迟保障特性。其各自适用于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A和之下的IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时,驱动实际效果和各类性能呈现良好,但当其运作在高频下时,其脉冲前后沿变的较差,即信号的最大传送宽度受限制。且厚膜內部选用印刷线路板设计,排热并不是很好,很容易因过热导致內部元件的烧坏。
M57959L集成IGBT专用的驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz,选用双电源配电(+15V和-15V)输出电流峰值为±2A,M57959L有之下特性:

(1)选用光耦完成电器隔离,光耦是快速型的,适用20KHz上下的高频开关运作,光耦的原边已串连限流电阻,可将5V电压直接加到输入侧。

(2)倘若选用双电源驱动工艺,输出负栅压较高,电源电压的极限值为+18V/-15V,通常取+15V/-10V。

(3)信号传送延迟时间短,低电平-高电平的传送延迟和高电平-低电平的传送延迟时间都在1.5μs之下。

(4)兼具过流保护作用。M57962L经过检测IGBT的饱和压降来辨别IGBT是不是过流,要是过流,M57962L便会将对IGBT实施软断开,并输出过流故障信号。

(5)M57959的内部构造如图所示,这一线路的驱动部份与EXB系列产品相近,但过流保护上有所差别。过流检测仍使用电压采样,线路特性是选用栅压缓降,完成IGBT软断开。

规避了断开中过电压和大电流冲击,此外,在断开环节中,输入控制信号的情况失去作用,既保障断开是在封闭情况中完成的。当保障开始时,即刻送出故障信号,目的是断开控制信号,以及线路中其余有源器件。

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