不间断电源igbt模块受损的因素

2021-05-08

在UPS中采用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅模块和igbt模块，igbt模块不仅有功率MOSFET便于驱动，控制简易、开关频率高的优势，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优势、采用igbt模块变成UPS功率设计方案的优选，唯有对igbt模块的特点充分的掌握和对线路开始可靠性设计，方能发挥igbt模块的优势。

igbt模块受损的因素

UPS在用过程中，常常遭受容性或感性负载的冲击、过负荷甚至于负载短路等，和UPS的误操作，将会导致igbt模块受损。igbt模块在用时的受损因素主要有以下几种情况：

1、过电流受损。

igbt模块有一定抗过电流功能，但需要小心避免过电流受损。igbt模块复合器件内有个寄生晶闸管，因此有擎住效应。图5为1个igbt模块的等效电路，在要求的漏极电流区域内，NPN的正偏压不可以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这一正偏压足够使NPN晶体管开通，从而使NPN和PNP晶体管处在饱和状态，因此寄生晶闸管开通，门极失去操控功能，便发生了擎住效应。igbt模块发生擎住效应后，漏极电流过大导致了过高的功耗，最后导致器件的受损。

2、过电压损坏。

igbt模块在断开时，因为逆变电路中存有电感成份，断开瞬间出现尖峰电压，倘若尖峰电压过压则很有可能导致igbt模块击穿毁坏。

3、桥臂共导损坏。

4、过热损坏和静电损坏。

igbt模块兼具有功率MOSFET和GTR的优势，是UPS中的充电、旁路开关、逆变器，整流器等功率变换的理想元件。只要正确运用igbt模块，并采取有效的防护方案，才会提高igbt模块在UPS中的可靠性。

以上就是传承电子对不间断电源igbt模块受损的因素的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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