综述
快恢复二极管模块（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管模块的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管模块的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
亮点
快恢复二极管模块工作原理
快恢复二极管模块的内部结构是在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了TRR值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管模块的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管模块的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管模块大多采用TO-220封装形式。
加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管模块等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管模块等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择快恢复二极管模块参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的快恢复二极管模块控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。
快恢复二极管模块的内部结构是在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了TRR值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管模块的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管模块的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管模块大多采用TO-220封装形式。
加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管模块等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管模块等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择快恢复二极管模块参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的快恢复二极管模块控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。
详情
快恢复二极管模块作用（在直流电路中）
快恢复二极管模块，具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。
一般来说，快恢复二极管模块的正向压降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，为了降低损耗才用快恢复二极管模块。
如果快恢复二极管模块反向击穿电压是40V，反向击穿之后能够快速恢复；如果快恢复二极管模块反向击穿电压1000V，则不存在反向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以不用考虑。
快恢复二极管模块，具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。
一般来说，快恢复二极管模块的正向压降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，为了降低损耗才用快恢复二极管模块。
如果快恢复二极管模块反向击穿电压是40V，反向击穿之后能够快速恢复；如果快恢复二极管模块反向击穿电压1000V，则不存在反向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以不用考虑。
产品
QQ群：2867777
版权所有 Copyright(C)2009-2020 传承电子科技(江苏)有限公司 苏ICP备13063025号-1