综述
二极管是电子元器件中1种具有2个电极的设备，只准许电流量由单一方向经过，很多的使用是利用其整流的功能。大多数二极管所具有的电流量方向性我们一般 称作“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能便是只准许电流量由单一方向通过（称作顺向偏压），逆向时阻断（称作逆向偏压）。所以，二极管能够想成电子版的逆止阀。
亮点
二极管的功能：
二极管是最普遍的电子元器件之一，它最大的特征便是单方向导电，也就是电流量只能够从二极管的一种方向经过，二极管的功能有整流线路，检波线路，稳压电路，各类调制线路，主要全是由二极管来组成的。
单二术管模块的性能参数
用作表示二术管模块的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二术管模块的参数。不一样类型的二术管模块有不一样的性能参数。
1、最大整流电流
指的是二术管模块长期持续运行时容许经过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部排热情况等相关联。由于电流经过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超出容许限度（硅管为141之间，锗管为90之间）时，便会使管芯过热而毁坏。因此在要求排热情况下，二术管模块运行中不要超出二术管模块最大整流电流值。比如，较常用的IN4O01-4007型锗二术管模块的额定正向运行电流为1A。
2、最高反向工作电压
加在二术管模块两边的反向工作电压高到一定值时，会将管子击穿，丧失单向导电能力。为了能保障运行安全，要求了最高反向工作电压值。比如，IN4O01二术管模块反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
指的是二术管模块在要求的温度和最高反向工作电压作用下，经过二术管模块的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。特别注意的是反向电流与温度具有紧密的关联，大概温度每上升10℃，反向电流增加1倍。比如2AP1型锗二术管模块，在25℃时反向电流若为250uA，温度上升到35℃，反向电流将上升到500uA，以此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不但失去了单方向导电性能，还使管子过热而毁坏。又如，2CP10型硅二术管模块，25℃时反向电流仅为5uA，温度上升到75℃时，反向电流也只不过160uA。故硅二术管模块比锗二术管模块在高温下具有较好的稳定性。
4、动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近工作电压的变化与相应电流的变化量之比。
二极管是最普遍的电子元器件之一，它最大的特征便是单方向导电，也就是电流量只能够从二极管的一种方向经过，二极管的功能有整流线路，检波线路，稳压电路，各类调制线路，主要全是由二极管来组成的。
单二术管模块的性能参数
用作表示二术管模块的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二术管模块的参数。不一样类型的二术管模块有不一样的性能参数。
1、最大整流电流
指的是二术管模块长期持续运行时容许经过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部排热情况等相关联。由于电流经过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超出容许限度（硅管为141之间，锗管为90之间）时，便会使管芯过热而毁坏。因此在要求排热情况下，二术管模块运行中不要超出二术管模块最大整流电流值。比如，较常用的IN4O01-4007型锗二术管模块的额定正向运行电流为1A。
2、最高反向工作电压
加在二术管模块两边的反向工作电压高到一定值时，会将管子击穿，丧失单向导电能力。为了能保障运行安全，要求了最高反向工作电压值。比如，IN4O01二术管模块反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
指的是二术管模块在要求的温度和最高反向工作电压作用下，经过二术管模块的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。特别注意的是反向电流与温度具有紧密的关联，大概温度每上升10℃，反向电流增加1倍。比如2AP1型锗二术管模块，在25℃时反向电流若为250uA，温度上升到35℃，反向电流将上升到500uA，以此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不但失去了单方向导电性能，还使管子过热而毁坏。又如，2CP10型硅二术管模块，25℃时反向电流仅为5uA，温度上升到75℃时，反向电流也只不过160uA。故硅二术管模块比锗二术管模块在高温下具有较好的稳定性。
4、动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近工作电压的变化与相应电流的变化量之比。
详情
二极管模块工作原理
晶体二极管为一种由p型半导体和n型半导体组成的pn结，在其界面处两边组成空间电荷层，并建有自建电场。当没有另加电压时，因为pn结两边载流子浓度差造成的扩散电流量和自建电场造成的漂移电流量相等而处在电平衡状态。
当外部有正向电压偏置时，外部电场和自建电场的互相抑消功能使载流子的扩散电流量增加造成了正向电流量。当外部有逆向电压偏置时，外部电场和自建电场进一步加强，组成在相应逆向电压范围内与逆向偏置电压值无关的逆向饱和电流I0。
当另加的逆向电压高到相应程度时，pn结空间电荷层中的电场强度超过临界值形成载流子的倍增环节，形成大量电子空穴对，形成了数值很大的逆向击穿电流量，称作二极管的击穿现象。pn结的逆向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
上述所言是二极管模块厂家传承电子对单二极管模块的介绍，传承电子是1家以电力电子工艺为专业领域的功率半导体功率模块供应商，为各的企业公司供应半导体功率模块的制定、生产加工和生产，此外也为各企业供应来料代加工或贴牌加工项目。主营商品有：igbt模块、晶闸管(可控硅)模块、超快恢复外延二极模块、单相整流桥模块、三相整流桥模块、整流二极管模块、肖特基二极管元器件功率模块等功率半导体电子元器件。
晶体二极管为一种由p型半导体和n型半导体组成的pn结，在其界面处两边组成空间电荷层，并建有自建电场。当没有另加电压时，因为pn结两边载流子浓度差造成的扩散电流量和自建电场造成的漂移电流量相等而处在电平衡状态。
当外部有正向电压偏置时，外部电场和自建电场的互相抑消功能使载流子的扩散电流量增加造成了正向电流量。当外部有逆向电压偏置时，外部电场和自建电场进一步加强，组成在相应逆向电压范围内与逆向偏置电压值无关的逆向饱和电流I0。
当另加的逆向电压高到相应程度时，pn结空间电荷层中的电场强度超过临界值形成载流子的倍增环节，形成大量电子空穴对，形成了数值很大的逆向击穿电流量，称作二极管的击穿现象。pn结的逆向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
上述所言是二极管模块厂家传承电子对单二极管模块的介绍，传承电子是1家以电力电子工艺为专业领域的功率半导体功率模块供应商，为各的企业公司供应半导体功率模块的制定、生产加工和生产，此外也为各企业供应来料代加工或贴牌加工项目。主营商品有：igbt模块、晶闸管(可控硅)模块、超快恢复外延二极模块、单相整流桥模块、三相整流桥模块、整流二极管模块、肖特基二极管元器件功率模块等功率半导体电子元器件。
产品
QQ群：2867777
版权所有 Copyright(C)2009-2020 传承电子科技(江苏)有限公司 苏ICP备13063025号-1