现阶段交流调压多选用双向可控硅模块，它具备体型小、质地轻、效率高和方便使用等优势，对提升生产效率和降低成本等均有显着功效，但它也具备过载和抗干扰能力差，且在操控大电感负载时会干扰电网和自干扰等弊端，下边我们来谈谈可控硅模块在其使用中该如何避开上述情况。
1.灵敏度

双向可控硅模块是一个三端元器件，但我们不会称其两极为阴阳极，反而称之为T1和T2极，G为操控极，其操控极上所加电压不论为正方向触发脉冲或反向触发脉冲均可使操控极导通，但触发灵敏度互不相同，即确保双向可控硅模块能进到导通模式的最低门极电流IGT是有差别的。

2.可控硅模块过载的保护

可控硅模块元件优势很多，但它过载能力差，短期内的过流，过压都能导致元器件受损，所以为确保元器件正常的运行，需有条件：

（1）外加电压下容许超出正方向转折电压，不然控制极将失效；

（2）可控硅模块的通态平均电流从安全角度考量通常按最大电流的1.5~2倍来取；

（3）为确保操控极可靠触发，加到操控极的触发电流通常取高于其额值，除此之外，还需要使用保护措施，通常对过流的保护措施是在线路中串接快速熔断器，其额定电流取可控硅模块电流均值的1.5倍上下，其接入的位子可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大点，通常多选用前者，过电压保护常出现在存在电感的线路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程造成的过压。因为，过电压的尖峰高，作用时间短，常选用电阻和电容吸收线路加以抑制。

3.操控大电感负载时的干扰电网和自干扰的避开

可控硅模块元器件操控大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅模块元器件操控1个连接电感性负载的线路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率很大，所以在电感上形成1个高电压，这个电压经过电源的内阻加在开关触点的电源开关，之后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所需要的电压为止，在这一过程中将形成很大的脉冲束。这些脉冲束累加在供电电压上，同时把干扰传至供电线或以辐射形式传进周围空间，这一脉冲具备很高的幅度，很宽的频率，因此有着感性负载的开关点是一个很强的噪声源。

以上就是传承电子对双向可控硅使用的注意事项的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。