igbt模块参数检测
2021-06-10
1.igbt模块结到NTC的暂态热阻抗Zth(j-r)
图9:igbt模块结到NTC的暂态热阻抗Zth(j-r)
到这儿我们能够看出,动态结温选用热阻抗Zth(j-r)的测算工作量要比稳态选用热阻Rth(j-r)大许多 。事实上,为了能精准测算动态结温,还需要考虑热耦合的影响。因为每一个开关的耗损和结温并不一致,我们在检测热阻抗Zth(j-r)只能针对每一个开关检测,而这又忽视了其余开关对被测开关和NTC热的影响。
图10描述了一个半桥模块内各开关间的热耦合。这儿以上桥igbt模块(TOPigbt模块)为例子,它除去本身发热对NTC的温度造成影响,对应结到NTC的热阻为Rth(j-r)_self,其余发热开关:下桥igbt模块(BOTigbt模块)、上桥二极管(TOP Diode)、下桥二极管(BOTDiode),都会对上桥igbt模块和NTC间的温差造成影响,对应的热阻为Rth(j-r)_switch2、Rth(j-r)_switch3、Rth(j-r)_switch4。要留意的是,这种热阻表现的是其余开关对上桥igbt模块和NTC间温度的影响程度,其值甚至也能是负值。
所以,对一个半桥IGBT模块,有4个开关元器件(上、下桥igbt模块和二极管),每一个开关和NTC间的温度关系要用4个热阻来表达,如此就产生了1个热阻矩阵来充分表现1个模块中开关元器件和NTC间的温度关系,如表1所示。针对动态结温,这种热阻一样要选用热阻抗来测算。
表1:半桥模块的热阻矩阵
同样,要测算动态结温,平均耗损计算方法也不会再适用,须要在每一个调制周期内即时测算igbt模块的导通耗损和开关损耗,计算公式如下:
有了各个开关器件的动态耗损,在结合测量的动态热阻抗曲线,就可以以载波频率相对应的步长即时测算igbt模块的动态结温,计算公式如下:
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