可控硅元器件未来发展趋势
2021-06-28
大功率可控硅（SCR）以前相当一段时间内，几乎是可以经受高电压和大电流的惟一半导体元器件。因此，对于SCR的弊端，人们很自然地把努力方向引到了如何使可控硅具备断开能力这一点上，并因此而开发出了栅极可断开可控硅GTO。
用GTO可控硅做为逆变器件获得了比较满意的结果，但其断开控制容易失败，仍较复杂，工作频率也不是很高。而几乎是与此同时，电力晶体管（GTR）快速发展起来，使GTO可控硅相形见绰。因此，在大量的中小容积变频器中，GTO可控硅已基本不用。但因其工作电流大，故在大容量变频器中仍居主要地位。
按照电力电子器件的发展现状趋势，估计在之后几年，电力电子器件将在下列层面获得突破：
已进到实用化的全控型元器件将在功率等级、便于驱动和更高工作频率这3个层面接着改进和提升。
因为MCT、igbt模块、IGCT等元器件的大容量化及实用化，在更多的领域，igbt模块和IGCT将取代GTO。
IGCT等新型混合元器件将逐渐得到推广使用。
功率集成线路将会出现更进一步的发展。这将意味着电力电子技术将跌入1个新的时期。
新型半导体材料SiC的问世，将意味着在不久的将来会问世1种集高耐压、大电流、高开关速度、无吸收线路、简单的栅极驱动、低损耗等所有优点于一身的新型SiC电力元器件。
以上就是传承电子对可控硅元器件未来发展趋势的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
按照电力电子器件的发展现状趋势，估计在之后几年，电力电子器件将在下列层面获得突破：
已进到实用化的全控型元器件将在功率等级、便于驱动和更高工作频率这3个层面接着改进和提升。
因为MCT、igbt模块、IGCT等元器件的大容量化及实用化，在更多的领域，igbt模块和IGCT将取代GTO。
功率集成线路将会出现更进一步的发展。这将意味着电力电子技术将跌入1个新的时期。
新型半导体材料SiC的问世，将意味着在不久的将来会问世1种集高耐压、大电流、高开关速度、无吸收线路、简单的栅极驱动、低损耗等所有优点于一身的新型SiC电力元器件。
以上就是传承电子对可控硅元器件未来发展趋势的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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