igbt功率模块过流保护功能扩展

2021-07-16

消除igbt模块集-栅极间的du/dt

图5所显示为EXB841与igbt模块栅-射极间的连接线路原理图。当驱动线路中的V4导通时，igbt模块处在正常导通模式，当V5导通时，igbt模块栅-射极间利用稳压管VZ2提供一个-5V电压加在其两端，使igbt模块断开，这时V5处在临界导通模式，稳压管VZ2处在方向偏置模式。

但因为集-栅极间分布电容的影响，集-栅极间的du/dt增大时，其利用分布电容产生的电流经过，因此，要解决集-栅极间的du/dt，保证稳压管不过压，防止igbt模块误导通。解决du/dt的办法有两种：一是驱动线路输出与igbt模块栅-射极间的连线选用双绞屏蔽电缆，屏蔽层接地，二是选用快速吸收线路吸收过压。

EXB841的过电流保护

EXB841本身具备过电流保护功能，其保护原理是借助igbt模块的集电极通态饱和压降与集电极电流呈近似线性关系。当igbt模块运行在常规状态时，EXB841的6脚电位箝制在8V，内部保护不运作，当igbt模块因经受过电流而脱离饱和状态时，igbt模块集-射极间的电压升高许多，与EXB84l的6引脚相接的快速二极管截止，EXB841的6引脚被悬空，内部保护运作，输出驱动电压渐渐地下降，达到igbt模块的软关断。

在具体运用中，光靠EXB841的6引脚监测IG-BT集电极电压来实现过电流保护并并不能高效地保护igbt模块，所以有必要在主线路中加接霍尔电流传感器来监测线路中的过电流，如图6所显示。过电流产生后，监测线路检测到电流，延时8μs后信号还在时。封锁驱动信号以关断igbt模块。

在图上，霍尔电流传感器一旦在主线路中监测到过流信号，当中的PNP三极管将导通，与此同时，NPN三极管被截止，EXB841的6脚被悬空;当没有过电流信号时，PNP三极管不导通，NPN三极管导通，这时线路等效于扩展前的线路。

以上就是传承电子对igbt功率模块过流保护功能扩展的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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