igbt模块（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式输出功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流比较大;MOSFET驱动输出功率较小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

igbt模块结合了上述2种元器件的优势，驱动输出功率小而饱和压下降。特别适合运用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源电路、照明线路、牵引传动等行业。

现阶段国内缺少高品质IGBT模块，近乎全部靠进口。绝缘栅双极晶体管（igbt模块）是高压开关家族中极其年轻的1位。由1个15V高阻抗电压源就可以便捷的调节电流流通元器件进而可做到用较低的调节输出功率来调节高电流。

igbt模块的原理和作用通俗易懂版：

igbt模块便是1个开关，非通即断，怎样调节他的通或是断，便是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时igbt模块导通，栅源极没加电压或 是加负压时，igbt模块关断，加负压便是为了稳定关断。

igbt模块没有放大电压的作用，导通时能够看做导线，断开时作为开路。

igbt模块有3个端子，分别是G，D，S，在G和S两边添加电压后，内部的电子出现转移（半导体材料的特性，这也是为何用半导体材料做电力电子开关的缘故），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但添加电压后，电子在电压的作用下，累积到一侧，建立了一层导电沟道，由于电子是能够导电的，变成了导体。一旦撤除加在GS两边的电压，这层导电的沟道就消失了，就不能导电了，变成了绝缘体。

igbt模块的原理和作用电路分析版：

igbt模块的等效线路如图1所示。由图1可知，若在igbt模块的栅极和发射极两者之间添加驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极两者之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt模块的栅极和发射极两者之间电压为0V，则MOSFET截止，断开PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 igbt模块的等效线路

由此可见，igbt模块的安全可靠与否主要由下列要素确定：

--igbt模块栅极与发射极两者之间的电压;

--igbt模块集电极与发射极两者之间的电压;

--流过igbt模块集电极-发射极的电流;

--igbt模块的结温。

以上就是传承电子对igbt逆变器原理的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。