可控硅模块的内部结构运行原理
2021-07-19
式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0,即便这时门极电流Ig=0,可控硅仍能维持原先的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。
在可控硅导通后，倘若持续的减少电源电压或增加回路电阻，使阳极电流Ia减少到维持电流IH之下时，因为a1和a1快速下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断情况。
可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向触发信号时可控硅能自动断开。
前已述及，普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发以后，撤除信号亦能保持通态。欲使之断开，必需断开电源，使正方向电流低过保持电流IH，或施加反方向电压强近断开。这就要增加换向线路，不但使设备的体积重量增加，并且会减低效率，产生波形失真和噪声。可断开可控硅克服了上述缺陷，它既保存了普通可控硅耐压高、电流大等优势，以具备自断开能力，使用便捷，是理想的高压、大电流开关元器件。GTO的容量及使用期限均超出巨型晶体管（GTR），只是运行频纺比GTR低。现阶段，GTO已到达3000A、4500V的容量。大功率可断开可控硅已普遍用作斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，展示出强大的生命力。
可断开可控硅也归属于PNPN四层三端元器件，其构造及等效线路和普通可控硅同样，为此图1仅绘制GTO典型产品的外型及符号。大功率GTO大多做成模块形式。
即便GTO与SCR的触发导通原理同样，但二者的断开原理及断开方式截然不同。这是因为普通可控硅在导通以后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能到达临界饱和，因此 GTO门极上加负向触发信号便可断开。GTO的1个重要参数便是断开增益值，βoff，它等同于阳极最大可断开电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式
βoff=IATM/IGM
βoff通常为几倍至几十倍。βoff值愈大，表明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很明显，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。
以上就是传承电子对可控硅模块的内部结构运行原理的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
在可控硅导通后，倘若持续的减少电源电压或增加回路电阻，使阳极电流Ia减少到维持电流IH之下时，因为a1和a1快速下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断情况。
可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向触发信号时可控硅能自动断开。
前已述及，普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发以后，撤除信号亦能保持通态。欲使之断开，必需断开电源，使正方向电流低过保持电流IH，或施加反方向电压强近断开。这就要增加换向线路，不但使设备的体积重量增加，并且会减低效率，产生波形失真和噪声。可断开可控硅克服了上述缺陷，它既保存了普通可控硅耐压高、电流大等优势，以具备自断开能力，使用便捷，是理想的高压、大电流开关元器件。GTO的容量及使用期限均超出巨型晶体管（GTR），只是运行频纺比GTR低。现阶段，GTO已到达3000A、4500V的容量。大功率可断开可控硅已普遍用作斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，展示出强大的生命力。
可断开可控硅也归属于PNPN四层三端元器件，其构造及等效线路和普通可控硅同样，为此图1仅绘制GTO典型产品的外型及符号。大功率GTO大多做成模块形式。
即便GTO与SCR的触发导通原理同样，但二者的断开原理及断开方式截然不同。这是因为普通可控硅在导通以后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能到达临界饱和，因此 GTO门极上加负向触发信号便可断开。GTO的1个重要参数便是断开增益值，βoff，它等同于阳极最大可断开电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式
βoff=IATM/IGM
βoff通常为几倍至几十倍。βoff值愈大，表明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很明显，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。
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