igbt功率模块串联谐振式电压型逆变器的原理

2021-07-20

倘若igbt模块栅极与发射极间的电压，即驱动电压过低，则igbt模块无法稳定正常地运行，倘若过高超出栅极-发射极间的耐压则igbt模块可能永久性毁坏;同样，倘若加在igbt模块集电极与发射极容许的电压超出集电极-发射极间的耐压，流过igbt模块集电极-发射极的电流超出集电极-发射极容许的最大电流，igbt模块的结温超出其结温的允许值，igbt模块都可能会永久性毁坏。

绝缘栅极双极型晶体管（igbt模块）

igbt模块串联谐振式电压型逆变器的原理

该电源选用半桥构造串联谐振逆变电路，主电路原理如图。在大功率igbt模块谐振式逆变电路中，主线路的构造对整个产品的性能非常关键，因为线路中存在引线寄生电感，igbt模块开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi／dt不可忽视，因为本电源选用的是半桥逆变电路，相比全桥线路来说，将形成比全桥线路更大的di／dt。

合理设计过压保护即缓冲线路，对igbt模块的正常运行非常关键。倘若缓冲线路设计不合理，将导致缓冲线路耗损增加，会导致线路起热严重，极易毁坏元器件，影响长久运作。

为了给无功电流供应通路，ICBT需要反并接快速二极管，在电压型逆变器中，为了防止开关元器件因Cd的短路电流而毁坏，在开关元器件换流环节中，上、下桥臂ICBT需要遵循先关断后开通原则，即应留出死区时间（T。）。

以上就是传承电子对igbt功率模块串联谐振式电压型逆变器的原理的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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