检测逆导可控硅模块时的注意事项

2021-07-26

检测逆导可控硅模块时的注意事项
(1)S3900MF的VTR<0.8V,宜选R×1档测量。

(2)若再用获取电流法求出ITR值,还能够绘制反方向伏安特性。

①通常小功率可控硅不用加散热片,但应避开发热元器件,如大功率电阻、大功率三极管和电源变压器等。关于大功率可控硅,需要按手册申的要求另装散热设备及降温条件,以确保管子运行时的温度不超过结温。

②可控硅在选用中出現超越和短路状况时,会导致过电流将管子烧毁。关于过电流,通常可在交流电源中另装快速保险丝用以保护。快速保险丝的熔断时间极短,通常保险丝的额定电流用可控硅额定平均电流的1.5倍来选取。

③交流电源在接通与断开时,有可能在可控硅的导通或阻断对出現过压状况,将管子击穿。关于过电压,可选用串联RC吸收线路的办法。由于电容两边的电压无法突变,因此 只需在可控硅的阴极及阳极间并取RC电路,就可以削弱电源刹那间出現的过电压,发挥保护可控硅的功能。当然还可以选用压敏电阻过压保护元器件实现过压保护。
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