检测逆导可控硅模块时的注意事项
2021-07-26
检测逆导可控硅模块时的注意事项
（1）S3900MF的VTR＜0.8V，宜选R×1档测量。
（2）若再用获取电流法求出ITR值，还能够绘制反方向伏安特性。
①通常小功率可控硅不用加散热片，但应避开发热元器件，如大功率电阻、大功率三极管和电源变压器等。关于大功率可控硅，需要按手册申的要求另装散热设备及降温条件，以确保管子运行时的温度不超过结温。
②可控硅在选用中出現超越和短路状况时，会导致过电流将管子烧毁。关于过电流，通常可在交流电源中另装快速保险丝用以保护。快速保险丝的熔断时间极短，通常保险丝的额定电流用可控硅额定平均电流的1.5倍来选取。
③交流电源在接通与断开时，有可能在可控硅的导通或阻断对出現过压状况，将管子击穿。关于过电压，可选用串联RC吸收线路的办法。由于电容两边的电压无法突变，因此 只需在可控硅的阴极及阳极间并取RC电路，就可以削弱电源刹那间出現的过电压，发挥保护可控硅的功能。当然还可以选用压敏电阻过压保护元器件实现过压保护。
以上就是传承电子对检测逆导可控硅模块时的注意事项的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
（2）若再用获取电流法求出ITR值，还能够绘制反方向伏安特性。
①通常小功率可控硅不用加散热片，但应避开发热元器件，如大功率电阻、大功率三极管和电源变压器等。关于大功率可控硅，需要按手册申的要求另装散热设备及降温条件，以确保管子运行时的温度不超过结温。
②可控硅在选用中出現超越和短路状况时，会导致过电流将管子烧毁。关于过电流，通常可在交流电源中另装快速保险丝用以保护。快速保险丝的熔断时间极短，通常保险丝的额定电流用可控硅额定平均电流的1.5倍来选取。
③交流电源在接通与断开时，有可能在可控硅的导通或阻断对出現过压状况，将管子击穿。关于过电压，可选用串联RC吸收线路的办法。由于电容两边的电压无法突变，因此 只需在可控硅的阴极及阳极间并取RC电路，就可以削弱电源刹那间出現的过电压，发挥保护可控硅的功能。当然还可以选用压敏电阻过压保护元器件实现过压保护。
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