何为MOS管？与igbt的区别
2021-07-30
场效应管主要有2种类别，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即 MOSFET，中文全名是金属- 氧化物半导体场效应晶体管，因为这类场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可划分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型4大类。
（MOSFET类型与电路符号）
有的MOSFET内部会有一个二极管，它是体二极管，或是叫寄生二极管、续流二极管。
对于寄生二极管的功能，有2种诠释：
1、MOSFET的寄生二极管，功能是避免VDD过电压的状况下，损坏MOS管，因为在过电压对MOS管引起毁坏前，二极管先反方向击穿，将大电流直接到地，进而规避MOS管被损坏。
2、规避MOS管的源极和漏极反接时损坏MOS管，也能够在线路有反方向感生电压时，为反方向感生电压提供通路，规避反方向感生电压击穿MOS管。
MOSFET有着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特征，在线路中，能够作为放大器、电子开关等用途。
以上就是传承电子介绍何为MOS管？传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
MOSFET又可划分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型4大类。
有的MOSFET内部会有一个二极管，它是体二极管，或是叫寄生二极管、续流二极管。
1、MOSFET的寄生二极管，功能是避免VDD过电压的状况下，损坏MOS管，因为在过电压对MOS管引起毁坏前，二极管先反方向击穿，将大电流直接到地，进而规避MOS管被损坏。
2、规避MOS管的源极和漏极反接时损坏MOS管，也能够在线路有反方向感生电压时，为反方向感生电压提供通路，规避反方向感生电压击穿MOS管。
MOSFET有着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特征，在线路中，能够作为放大器、电子开关等用途。
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