可控硅模块的保护措施
2021-08-06
可控硅元器件的关键缺陷是承载过电流和国电压的能力很差，即便短时间的过流和过电压，也能够造成可控硅的毁坏，因此需要对它使用恰当的保障措施。
1.过电流保护
可控硅发生过电流的关键因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几种：
快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它能够在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。
过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定時间，因此只能作为可控硅的过载保护。
过载截止保护通过过电流的信号将可控硅的触发信号后挪，或使可控硅得导通角降低，或索性终止触发保护可控硅。
2.过电压保护
过电压能够造成可控硅的击穿，其关键因素是因为线路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅在导通与截止间的转变。对过压保护可使用2种措施
阻容保护阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅线路中的1种过电压保护形式，其实质是通过电容器两端电压无法突变和电容器的电场储能和电阻使耗能元器件的特性，把过电压的能量变为电场能量储存在电场中，并通过电阻把这一部分能量消耗掉。
第2种是硒堆保护。
以上就是传承电子对可控硅模块的保护措施的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
可控硅发生过电流的关键因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几种：
快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它能够在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。
过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定時间，因此只能作为可控硅的过载保护。
过载截止保护通过过电流的信号将可控硅的触发信号后挪，或使可控硅得导通角降低，或索性终止触发保护可控硅。
2.过电压保护
过电压能够造成可控硅的击穿，其关键因素是因为线路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅在导通与截止间的转变。对过压保护可使用2种措施
阻容保护阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅线路中的1种过电压保护形式，其实质是通过电容器两端电压无法突变和电容器的电场储能和电阻使耗能元器件的特性，把过电压的能量变为电场能量储存在电场中，并通过电阻把这一部分能量消耗掉。
第2种是硒堆保护。
以上就是传承电子对可控硅模块的保护措施的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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