MOS管和igbt的结构特点

2021-08-05

在电子线路中，MOS管和 IGBT 管会时常出现，它们都能够当做开关元件来用，MOS管和IGBT管在外型及特征参数也有点类似，那为何有一些线路用MOS管？而有一些线路用IGBT管？

MOS管和igbt模块的结构特点

MOS管和IGBT管的内部构造如下图所显示：

igbt模块是利用在MOSFET的漏极上追加层而组成的。

igbt模块的理想等效线路如下图所显示，igbt模块实际便是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存有导通电阻高的弊端，但igbt模块摆脱了这个弊端，在高压时igbt模块仍有着较低的导通电阻。

此外，类似功率容量的igbt模块和MOSFET，igbt模块的速度也许会慢于MOSFET，鉴于igbt模块存有关断拖尾時间，鉴于igbt模块关断拖尾时间长，死区時间也得延长，进而会干扰开关频率。

以上就是传承电子介绍MOS管和igbt的结构特点，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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