igbt功率模块过电流毁坏的解决对策
2021-08-19
为了避免igbt模块出现锁定效应而毁坏,在线路设计中应确保igbt模块的最大工作电流应不超过igbt模块的IDM值,同时留意可适度提升驱动电阻值RG的方式延长关闭时间,减少igbt模块的di/dt。驱动电压的大小也会干扰igbt模块的锁定效应,驱动电压低,承担过电流时间长,igbt模块需要加负偏压,igbt模块厂家通常建议加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情形下,驱动正电压在10~15V间,igbt模块发射极的电流可在5~10μs内超出额定电流的4~10倍,因此 igbt模块需要设有驱动负偏压。
鉴于负载冲击特性各不相同,且供电的设备可能出现电源短路故障,因此 在设计中采取限流措施对igbt模块的电流限制也是需要的,可考虑选用igbt模块厂家供应的驱动厚膜线路。如EXB841、EXB840,M57959AL,57962CL这类产品,它们可对igbt模块的集电极电压完成监测,倘若igbt模块出现过电流,内部线路关上驱动信号。
这个方式有时候也会无法保护igbt模块,因些厂家建议的短路保护方式是:先监测通态压降VCE,倘若VCE超出设定值,保护线路立刻将驱动电压降为8V,因此igbt模块由饱和状态转到放大区,通态电阻值提升,短路电流降低,通过4μs持续监测通态压降VCE,倘若正常,将驱动电压恢复正常,倘若未恢复,将驱动信号关上,使集电极电流减至零,如此可完成短路电流软关闭,能够避色迅速关断导致过大的di/dt毁坏igbt模块,此外按照最新igbt模块资料,一些igbt模块的系列均内含过流限流线路(RTC线路)。
如下图1所示,当出现过电流,10μs内将igbt模块的驱动电压减至9V,配合M57160AL厚膜驱动线路能够迅速软关闭保护igbt模块。在逆变桥的同臂支路2个驱动信号需要是互锁的,并且应当设定死区时间(即共同不导通时间)。
图1igbt模块的RCT线路
以上是传承电子对igbt功率模块过电流毁坏的解决对策的介绍,并提供了相应的等效线路。依据上述解析,如启动延时等效电路图,在给栅极电容充电的时期,驱动电阻的值越小,时间常数越小,进而栅极电压升高越快,启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知,驱动电阻越小,相同的栅极平台电压值,平台持续时间也越小。驱动电阻越小,平台电压随后,升高到最大栅极电压的時间也越小。
鉴于负载冲击特性各不相同,且供电的设备可能出现电源短路故障,因此 在设计中采取限流措施对igbt模块的电流限制也是需要的,可考虑选用igbt模块厂家供应的驱动厚膜线路。如EXB841、EXB840,M57959AL,57962CL这类产品,它们可对igbt模块的集电极电压完成监测,倘若igbt模块出现过电流,内部线路关上驱动信号。
这个方式有时候也会无法保护igbt模块,因些厂家建议的短路保护方式是:先监测通态压降VCE,倘若VCE超出设定值,保护线路立刻将驱动电压降为8V,因此igbt模块由饱和状态转到放大区,通态电阻值提升,短路电流降低,通过4μs持续监测通态压降VCE,倘若正常,将驱动电压恢复正常,倘若未恢复,将驱动信号关上,使集电极电流减至零,如此可完成短路电流软关闭,能够避色迅速关断导致过大的di/dt毁坏igbt模块,此外按照最新igbt模块资料,一些igbt模块的系列均内含过流限流线路(RTC线路)。
如下图1所示,当出现过电流,10μs内将igbt模块的驱动电压减至9V,配合M57160AL厚膜驱动线路能够迅速软关闭保护igbt模块。在逆变桥的同臂支路2个驱动信号需要是互锁的,并且应当设定死区时间(即共同不导通时间)。
以上是传承电子对igbt功率模块过电流毁坏的解决对策的介绍,并提供了相应的等效线路。依据上述解析,如启动延时等效电路图,在给栅极电容充电的时期,驱动电阻的值越小,时间常数越小,进而栅极电压升高越快,启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知,驱动电阻越小,相同的栅极平台电压值,平台持续时间也越小。驱动电阻越小,平台电压随后,升高到最大栅极电压的時间也越小。
上一篇:可控硅模块的动态性能
下一篇:双向可控硅调光控制线路原理图
关注微信公众号,了解更多资讯