可控硅模块的动态性能

2021-08-18

与二极管类似于，导通、断开过程形成动态损耗可控硅模块的导通和断开过程波形

1)导通过程

延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流升高到稳态值的10%的時间上升时间tr：阳极电流从10%升高到稳态值的90%需要的時间导通時间tgt：上述二者之和，tgt=td+tr 普通可控硅模块延迟时间0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3s

2)断开过程

反方向阻断恢复時间trr：正方向电流降至零到反向恢复电流衰减至近于零的時间。

正方向阻断恢复時间tgr：可控硅模块要恢复其对正方向电压的阻断能力，还需要一段时间。

在正方向阻断恢复時间内，倘若重新对可控硅模块添加正方向电压，可控硅模块会重新正向导通。

实际应用中，应对可控硅模块添加足够长时间的反方向电压，使可控硅模块充分恢复其对正方向电压的阻断能力，线路才能稳定工作。

断开時间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr

普通可控硅模块的断开時间约几百微秒，这是设计反方向电压设计時间的依据。

以上就是传承电子对可控硅模块的动态性能的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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