igbt过压过热损坏修复方案
2021-08-20
1、过电压毁坏处理
避免过电压毁坏方式有提升主线路的工艺构造，通过减小大电流回路的路径来减少线路寄生电感；适度提升igbt驱动电阻值RG使开关速度减慢（但开关损耗也提升了）；设计缓冲线路，对尖峰电压完成抑制。用作缓冲线路中的二极管需要是快恢复二极管，电容需要是高频、损耗小、频率特性好的薄膜电容。如此才能取得好的吸收效果。
igbt的VGE的保证值为±20V，加在igbt上的VGE若超过保证值，将会造成 igbt毁坏，所以在栅极—发射极间的电压不可超过保证值，另外，在栅极—发射极问开路时，若在集电极—发射极间添加电压，随着集电极电位的变化，因为有漏电流流过，栅极电位上升，集电极则有电流流过。倘若这时在集电极—发射集间处在高电压模式时，有可能使芯片发热而毁坏。在应用中倘若igbt栅极回路处在开路模式，若在主回路上添加电压，也将造成 igbt毁坏，为预防这类毁坏状况出现，应在igbt的栅极、发射极间接1只lOkΩ左右的阻。
2、过热毁坏处理
可借助降额运用，增加散热器，涂覆导热胶，强制风扇冷却，设定过温度保护等方式来处理过热受损问题。在安装或替换igbt时，应高度重视igbt与散热片的接触面情况和扭紧程度。想要降低接触热阻，最好在散热器与igbt间涂抹导热硅脂。通常散热片底边安装有散热风扇，当散热风扇受损或散热片散热不良时将导致igbt发热，而出现故障。因此对散热风扇应定期进行检测，通常在散热片上靠近igbt的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止igbt工作。
以上是传承电子对igbt过压过热损坏修复方案的介绍，并提供了相应的等效线路。依据上述解析，如启动延时等效电路图，在给栅极电容充电的时期，驱动电阻的值越小，时间常数越小，进而栅极电压升高越快，启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知，驱动电阻越小，相同的栅极平台电压值，平台持续时间也越小。驱动电阻越小，平台电压随后，升高到最大栅极电压的時间也越小。
避免过电压毁坏方式有提升主线路的工艺构造，通过减小大电流回路的路径来减少线路寄生电感；适度提升igbt驱动电阻值RG使开关速度减慢（但开关损耗也提升了）；设计缓冲线路，对尖峰电压完成抑制。用作缓冲线路中的二极管需要是快恢复二极管，电容需要是高频、损耗小、频率特性好的薄膜电容。如此才能取得好的吸收效果。
igbt的VGE的保证值为±20V，加在igbt上的VGE若超过保证值，将会造成 igbt毁坏，所以在栅极—发射极间的电压不可超过保证值，另外，在栅极—发射极问开路时，若在集电极—发射极间添加电压，随着集电极电位的变化，因为有漏电流流过，栅极电位上升，集电极则有电流流过。倘若这时在集电极—发射集间处在高电压模式时，有可能使芯片发热而毁坏。在应用中倘若igbt栅极回路处在开路模式，若在主回路上添加电压，也将造成 igbt毁坏，为预防这类毁坏状况出现，应在igbt的栅极、发射极间接1只lOkΩ左右的阻。
可借助降额运用，增加散热器，涂覆导热胶，强制风扇冷却，设定过温度保护等方式来处理过热受损问题。在安装或替换igbt时，应高度重视igbt与散热片的接触面情况和扭紧程度。想要降低接触热阻，最好在散热器与igbt间涂抹导热硅脂。通常散热片底边安装有散热风扇，当散热风扇受损或散热片散热不良时将导致igbt发热，而出现故障。因此对散热风扇应定期进行检测，通常在散热片上靠近igbt的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止igbt工作。
以上是传承电子对igbt过压过热损坏修复方案的介绍，并提供了相应的等效线路。依据上述解析，如启动延时等效电路图，在给栅极电容充电的时期，驱动电阻的值越小，时间常数越小，进而栅极电压升高越快，启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知，驱动电阻越小，相同的栅极平台电压值，平台持续时间也越小。驱动电阻越小，平台电压随后，升高到最大栅极电压的時间也越小。
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