igbt功率模块应用中的注意事项

2021-08-23

因为igbt模块的输入端为MOSFET构造，igbt模块的栅极借助一层氧化膜与发射极起到电隔离。因为此氧化膜很薄，其击穿电压通常在20-30V间。所以因静电而造成栅极击穿也是igbt模块失效的常见原因之一。为预防因静电因素导致igbt模块毁坏，在igbt模块应用中应注意以下几点：

（1）在检测或安装拆卸igbt模块时，手拿igbt模块组件时，勿触碰igbt模块驱动端子部分。当必须要触碰igbt模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地完成放电后，再触碰。

（2）在用导电材料连结驱动端子时，在配线未布好前不能接上igbt模块端子。

（3）尽可能在底板良好接地的状况下操作。

（4）在焊接作业时，焊机与焊槽间的漏泄更易形成静电压，为了预防静电的产生，应将焊机处在良好的接地模式下。

在运用中有时候尽管确保了栅极驱动电压没超出栅极最大额定电压，但栅极接线的寄生电感和栅极与集电极问的电容耦合，也会形成使氧化层受损的振荡电压。因此，通常选用双绞线来传送驱动信号，以降低寄生电感。在栅极接线中串连小电阻值也能抑止振荡电压。

以上是传承电子对igbt功率模块应用中的注意事项的介绍，并提供了相应的等效线路。依据上述解析，如启动延时等效电路图，在给栅极电容充电的时期，驱动电阻的值越小，时间常数越小，进而栅极电压升高越快，启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知，驱动电阻越小，相同的栅极平台电压值，平台持续时间也越小。驱动电阻越小，平台电压随后，升高到最大栅极电压的時间也越小。

上一篇：双向可控硅模块调光灯线路-控制回路

下一篇：可控硅驱动线路图

关注微信公众号，了解更多资讯