igbt运行中的静态性能

2021-08-30

igbt的静态性能，静态数据性能重要有光电流性能、迁移性能和电源开关性能。

（1）光电流性能：igbt的光电流性能是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关连曲线图。輸出漏极电流比受栅源电压Ugs的操纵，Ugs越高，Id越大。它与GTR的輸出性能相似。也可分为饱和状态区1、变大区2和穿透性能3一部分。在截止状况下的igbt，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。倘若无N缓冲区域，则正反面向阻隔电压可以维持相同水准，加上N缓冲区域后，反向断开电压仅有达到几十伏水准，所以限制了igbt的某些使用范畴。

（2）迁移性能：igbt的迁移性能是指輸出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关连曲线图。它与MOSFET的迁移性能同样，当栅源电压小于打开电压Ugs（th）时，igbt处于断开状况。在igbt通断后的大部分漏极电流范畴内，Id与Ugs呈线性相关。栅源电压受漏极电流限制，其值通常起名叫15V左右。

（3）电源开关动画特效：igbt的电源开关性能是指漏极电流与漏源电压之间的关连。igbt处于导通态时，因为它的PNP晶体三极管为宽基区晶体三极管，所以其B值极低。尽管闭合线路为达林顿結构，但穿过MOSFET的电流变为igbt总电流的重要一部分。此时，通态电压Uds（on）可用下式说明

Uds（on）=Uj1UdrIdRoh

式中Uj1——JI结的正向电压，其数值0.7～1V;Udr——扩展电阻Rdr上的耗损;Roh——断面电阻器。

通态电流Ids可用下式说明：Ids=（1Bpnp）Imos；式中Imos——穿过MOSFET的电流。

由于N区存在氧化还原电位调配效用，所以igbt的通态耗损小，抗压1000V的igbt通态耗损为2～3V。igbt处于断态时，仅有很小的泄露电流存在。

以上是传承电子对igbt运行中的静态性能的介绍，并提供了相应的等效线路。依据上述解析，如启动延时等效电路图，在给栅极电容充电的时期，驱动电阻的值越小，时间常数越小，进而栅极电压升高越快，启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知，驱动电阻越小，相同的栅极平台电压值，平台持续时间也越小。驱动电阻越小，平台电压随后，升高到最大栅极电压的時间也越小。

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