可控硅模块SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析
2021-08-27
可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析
抑制办法:
1)AMC;
2)驱动电源稳负压;
3)门极TVS、二极管钳位;
以上就是传承电子对可控硅模块SiCMOSFET的桥臂串扰电压解析的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
上一篇:IGBT功率模块的优劣检验办法
下一篇:igbt运行中的静态性能
关注微信公众号,了解更多资讯