可控硅过电压及保护

2021-09-03

1．可控硅关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护

可控硅从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）放出能量形成过电压。因为可控硅在导通期内，载流子充满元器件内部，在关断过程中，管子在反方向作用下，正方向电流降低到零时，元器件内部残留着载流子。这类载流子在反方向电压作用下瞬间发生较大的反方向电流，使残留的载流子快速消退，此时反方向电流减少即diG/dt极大，形成的感应电势较大，这一电势与电源串接，反方向放到已恢复阻断的元器件上，可造成可控硅反方向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值达到工作电压的5~6倍。

保障措施：在可控硅两端并接阻容吸收线路。

2．交流侧过电压以及保护

因为交流侧线路在连接或断开时发生暂态过程，会形成操作过电压。高压合闸的瞬间，因为初次级间存有分布电容，初级高压经电容耦合到次级，发生瞬间过电压。方法：在三相变压器次级星形中心点与地间并接恰当电容，就可以明显减少这类过电压。与整流器并接的其余负载断开时，因电源回路电感形成感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的骤变，在次级感出现很高的瞬间电压，这类电压尖峰值达到工作电压的6倍之上。交流电网遭雷击或电网入侵干扰过电压，即偶发性浪涌电压，都需要加阻容吸收路实现保护。

3．直流侧过电压及保护

当负载断开时或快熔断时，存储在变压器中的磁场能量会形成过电压，毫无疑问在交流侧阻容吸收保护线路能够遏制这类过电压，但因为变压器过载时存储的能量比空载时要大，还无法彻底清除。

方法：能常使用压敏吸收实现保护。

4．过电流保护

通常加快速熔断器实现保护，事实上它不能保护可控硅，只是保护变压器线圈。

以上就是传承电子对可控硅过电压及保护的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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