igbt功率模块的基本参数

2021-09-03

igbt功率模块绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）组合而成的产品。它具备输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好及其开关频率高等特性。它比GTR（或BJT）更加新颖。

IGBT模块的击穿电压已做到1200V，集电极最大饱和电流已高于1500A，最高工作频率能达30～40kHz，以igbt模块为逆变器件的变频器的载波频率一般是在10kHz之上，故电动机的电流波型较为平滑，电磁噪声极小。缺陷是断态时的击穿电压较低（最大约3.3kV），功能损耗很大，线路较繁杂。

igbt模块的基本参数

（1）集电极-发射极额定电压UCES是igbt模块在断开情况下集电极与发射极中间可以承载的最大电压，一般UCES小于或等于元器件的雪崩击穿电压。

（2）栅极-发射极额定电压UGE是igbt模块栅极与发射极中间容许增加的最大电压，一般为20V。栅极的电压信号调节igbt模块的导通和断开，其电压不能高于UGE。

（3）集电极额定电流IC是igbt模块在饱和导通情况下，容许持续经过的最大电流。

（4）集电极-发射极饱和电压UCE是igbt模块在饱和导通情况下，集电极与发射极中间的电压降。该值越小，则管子的功率耗损越小。

（5）开关频率在igbt模块的使用手册中，开关频率是以导通时间tON、下降时间t1和断开时间tOFF得出的，按照这种参数可测算出igbt模块的开关频率，一般能达30～40kHz。在变频器中，实际应用的载波频率大多数在15kHz之下。

以上就是传承电子对igbt功率模块的基本参数的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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