可控硅模块非拓扑结构性转变的解决方案

2021-09-22

从上边的剖析得知,滞后桥臂的开关动作出现在回流环节向能量传输环节的转化阶段,因为輸出电感电流无法反馈到原边,使滞后桥臂的开关管并接电容只有借助变压器原边的谐振电感完成充放电,而谐振电感中存储的能量不大,促使滞后桥臂开关管完成零电压导通变得很难,尤其是在低负载的时候更为明显。


要完成滞后桥臂的ZVS,务必符合LrI22>ClagVin2+CtrVin2,要符合它就务必增加谐振电感Lr和增加电流I2。如此,就有两种非拓扑结构性转变的方式能够解决滞后桥臂开关管零电压导通难的情况:增加励磁电流和增加谐振电感。但,增加励磁电流会增加变压器的损耗,增加谐振电感又将引起副边占空比的丢失。为了更容易完成滞后桥臂的开关管零电压导通,达到既不增加导通损耗,又减少占空比丢失的目的,近来一些新的拓扑结构被提到。

传统移相桥一般用作大功率的开关电源中,其滞后桥臂开关管难以达到零电压导通制约着它的使用,为更好的改进滞后桥臂的导通条件,真正完成零电压导通,很多技术和拓扑被提出。本文经过对传统的移相PWM-ZVS-FB变换器的特性以及存在不足进行解析,并对近期出现的完成全桥零电压开关的解决方法进行详细的解析,对比了它们的优缺点。这几个方式 和拓扑都极大的改进了滞后桥臂的导通条件,尤其是最后的那种方式 不仅完成了零电压开关,还改进了輸出滤波条件,值得我们进行更深入的研究。

以上就是传承电子对可控硅模块非拓扑结构性转变的解决方案的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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