数字化igbt高等级隔离电源
2021-09-23
高压igbt模块驱动器设计中,电源设计是关键部位之一,电源的输出功率确定了igbt模块在实际运行中可以采用的工作频率,倘若电源输出功率欠缺,将会在IGBT元器件高频运行时,发生欠压现象,造成 igbt模块耗损提升,乃至引起igbt模块毁坏。
本设计中选择TI公司的LM5025芯片设计反激式DC-DC线路(线路图见图2),线路中的初级具备电流监测软起动作用,当电流监测电阻上的压降到达0.25V时,对电源起着不错的过流保护作用。
1、光纤通信接口
在客户主控系统通信的接口设计上,选择抗干扰能力强的光纤通信,避免控制信号被干扰发生误触发。光纤选择HFBR-1522、HFBR-2522,光纤线路如下图3。
2、功率放大线路
选择导通阻抗极低的mosFET当做开关元器件,组成igbt模块栅极功率输出线路,如下图4,同时,选择多个栅极电阻切换的方式,完成不同条件下对igbt模块性能的调节。在igbt模块正常开关时,可以通过调节栅极电阻来控制元器件的开关速度,到达优化元器件效率的目的。
在igbt模块发生运行异常时(比如短路),可以通过调节栅极电阻来控制元器件的运行状态,避免元器件毁坏到达保护元器件的目的。
以上就是传承电子对数字化igbt高等级隔离电源的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
1、光纤通信接口
在客户主控系统通信的接口设计上,选择抗干扰能力强的光纤通信,避免控制信号被干扰发生误触发。光纤选择HFBR-1522、HFBR-2522,光纤线路如下图3。
选择导通阻抗极低的mosFET当做开关元器件,组成igbt模块栅极功率输出线路,如下图4,同时,选择多个栅极电阻切换的方式,完成不同条件下对igbt模块性能的调节。在igbt模块正常开关时,可以通过调节栅极电阻来控制元器件的开关速度,到达优化元器件效率的目的。
在igbt模块发生运行异常时(比如短路),可以通过调节栅极电阻来控制元器件的运行状态,避免元器件毁坏到达保护元器件的目的。
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