变流器的核心元器件MOSFET和igbt

2021-10-09

MOSFET和igbt模块是现阶段变流器中使用最普遍，最重要的两类核心元器件。MOSFET主要是使用在低压和中压（中小功率），igbt模块主要是使用在高压和中压（大功率）领域。

对于MOSFET已有很多方面的精辟的论述，在这里不再重复，只对个别问题作点补充说明。igbt模块的探讨还较少，所以，是本篇文章的主要是探讨对象。

首先来说MOSFET

提1个基础性问题：驱动MOSFET导通的最合适栅电压多少伏？

很多人的回答是：15V。这一答案无法说错，但，这活干得太粗。

MOSFET的导通电阻是随栅电压的提升而下滑，当栅电压到达一定值时，导通电阻就几乎不会再降低了，暂且称作“多方面导通”，通常认为这一电压是小于15V的。

事实上，不同耐压的MOSFET到达多方面导通的栅电压是有差异的。基本规律是：耐压越高的MOSFET，到达多方面导通的栅电压越低；耐压越低的MOSFET，到达多方面导通的栅电压越高。我查看了各类耐压MOSFET的VGS－RDS曲线，获得的结论是：耐压200V的MOSFET到达多方面导通的栅电压＞16V；耐压500V的MOSFET到达多方面导通的栅电压＞12V；耐压1000V的MOSFET到达多方面导通的栅电压＞8V。所以，提议：耐压200V及之下的MOSFET栅驱动电压＝17－18V；耐压500V的MOSFET栅驱动电压＝15V；耐压1000V的MOSFET栅驱动电压＝12V。

说了MOSFET的驱动电压，再来说说igbt模块的驱动电压，igbt模块的驱动电压为15±1.5V，与igbt模块的耐压无关。驱动电压小于13.5V，igbt模块的饱和压降会明显增高；高过16.5V，既没有必要，还将会带来不利的影响。

以上就是传承电子对变流器的核心元器件MOSFET和igbt的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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