可控硅模块四臂电桥（全桥）的静态位移性能
2021-10-08
实验内容：可控硅金属箔式应变片四臂电桥（全桥）的静态位移性能
1、依据图１的线路构造，将四片应变片与电桥平衡网络、差动放大器、电压表、直流稳压电源连接起来，构成1个测定线路（这时直流稳压电源应放置0伏档、电压表应放置20伏档）。这时四片应变片构成全桥。
图１
2、旋转测微器，将平行梁上中心的磁铁与测微头相吸（必要时松掉测微器的固定螺钉，使之完全可靠吸附后，再扭紧固定螺钉），并使平行梁处在（目测）水平地方，再往上位移5mm，使梁的自由端往上形成位移。
3、将直流稳压电源輸出放置4伏档，调整电桥平衡电位器W1，使电压表提示为零，平稳数分钟后，将电压表量程放置2伏档后，再仔细调零。
4、向下旋动测微器，将梁的自由端向下形成位移，记录下来电压表展现的数据。每当位移0.5mm记录下来1个电压数据，将所记数据填写下表，依据得到结论测算灵敏度S。S= V/ X（式中 V为电压变动， X为对应的梁端地方变动），并作V—X关系曲线。
注意事项：
1、电桥单元上部所显示的4个桥臂电阻(Rx)仍未按装，仅用作组桥提示标注，表明在组桥时应外接桥臂电阻（如应变片或固定电阻）。四臂电桥的两块应变片应留意运行状态与方向，不可以接错。
2、试验时应将低频放大器、音频放大器的幅值调至最低，以减少对直流电桥的干扰。
3、试验过程中，直流稳压电源輸出不允许超过4伏，避免应变片过温受损。
4、不可以用手触碰应变片及过度弯曲平行梁，避免应变片受损。
5、试验中使用所需单元时，则该单元上面有电源开关的应合上开关，做完试验后应关掉全部开关及輸出。
6、留意不可以调整差动放大器增益和调零电位器。
以上就是传承电子对可控硅模块四臂电桥（全桥）的静态位移性能的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
1、依据图１的线路构造，将四片应变片与电桥平衡网络、差动放大器、电压表、直流稳压电源连接起来，构成1个测定线路（这时直流稳压电源应放置0伏档、电压表应放置20伏档）。这时四片应变片构成全桥。
2、旋转测微器，将平行梁上中心的磁铁与测微头相吸（必要时松掉测微器的固定螺钉，使之完全可靠吸附后，再扭紧固定螺钉），并使平行梁处在（目测）水平地方，再往上位移5mm，使梁的自由端往上形成位移。
3、将直流稳压电源輸出放置4伏档，调整电桥平衡电位器W1，使电压表提示为零，平稳数分钟后，将电压表量程放置2伏档后，再仔细调零。
4、向下旋动测微器，将梁的自由端向下形成位移，记录下来电压表展现的数据。每当位移0.5mm记录下来1个电压数据，将所记数据填写下表，依据得到结论测算灵敏度S。S= V/ X（式中 V为电压变动， X为对应的梁端地方变动），并作V—X关系曲线。
1、电桥单元上部所显示的4个桥臂电阻(Rx)仍未按装，仅用作组桥提示标注，表明在组桥时应外接桥臂电阻（如应变片或固定电阻）。四臂电桥的两块应变片应留意运行状态与方向，不可以接错。
2、试验时应将低频放大器、音频放大器的幅值调至最低，以减少对直流电桥的干扰。
3、试验过程中，直流稳压电源輸出不允许超过4伏，避免应变片过温受损。
4、不可以用手触碰应变片及过度弯曲平行梁，避免应变片受损。
5、试验中使用所需单元时，则该单元上面有电源开关的应合上开关，做完试验后应关掉全部开关及輸出。
6、留意不可以调整差动放大器增益和调零电位器。
以上就是传承电子对可控硅模块四臂电桥（全桥）的静态位移性能的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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