逆导可控硅(RCT)是什么？

2021-10-28

逆导可控硅模块的符号、等效线路如下图1(a)、(b)所显示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导可控硅模块的伏安特性具备不对称性，正方向特性与普通可控硅模块SCR相同，而反方向特性与硅整流管的正方向特性相同（仅坐标位置不同）。

逆导可控硅模块的典型产品外型见图1(c)。它选用TO-220封装，3个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。

逆导可控硅模块的基本参数如下所示：

断态重复峰值电压VDRM：＞750V

通态平均电流IT（AV）：5A

最大的通态电压VT：3V（IT=30A）

最大的反向导通电压VTR：＜0.8V

最大的门极触发电压VGT:4V

最大的门极触发电流IGT:40mA

断开时间toff:2.4μs

通态电压临界上升率du/dt:120V/μs

通态浪涌电流ITSM:80A

以上就是传承电子介绍什么是逆导可控硅(RCT)，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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