igbt的工作原理是什么?
2021-10-27
igbt的等效线路如下图1所显示。由图1可知,若在igbt的栅极和发射极间添加驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极间成低阻状态而促使晶体管导通;若igbt的栅极和发射极间电压为0V,则MOSFET断开,切断PNP晶体管基极电流的供应,促使晶体管断开。
由此可知,igbt的安全可靠是否主要由下列因素确定:
1、igbt栅极与发射极间的电压;
2、igbt集电极与发射极间的电压;
3、流经igbt集电极-发射极的电流;
4、igbt的结温。
倘若igbt栅极与发射极间的电压,即驱动电压过低,则igbt无法稳定正常地运行,倘若过高超出栅极-发射极间的耐压则igbt将会永久性毁坏;同时,倘若添加在igbt集电极与发射极容许的电压超出集电极-发射极间的耐压,流经igbt集电极-发射极的电流超出集电极-发射极容许的最大电流,igbt的结温超出其结温的允许值,igbt都将会会永久性毁坏。
绝缘栅极双极型晶体管(igbt)
以上就是传承电子对igbt的工作原理是什么的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
1、igbt栅极与发射极间的电压;
2、igbt集电极与发射极间的电压;
3、流经igbt集电极-发射极的电流;
4、igbt的结温。
倘若igbt栅极与发射极间的电压,即驱动电压过低,则igbt无法稳定正常地运行,倘若过高超出栅极-发射极间的耐压则igbt将会永久性毁坏;同时,倘若添加在igbt集电极与发射极容许的电压超出集电极-发射极间的耐压,流经igbt集电极-发射极的电流超出集电极-发射极容许的最大电流,igbt的结温超出其结温的允许值,igbt都将会会永久性毁坏。
绝缘栅极双极型晶体管(igbt)
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