IGBT7功率模块与IGBT4两种典型运行环境对照方案

2021-11-23

IGBT7做为全新一代igbt模块工艺平台，它与IGBT4的性能对照始终是技术人员在意的问题。文中利用FP35R12W2T4与FP35R12W2T7在同一个平台伺服驱动中的检测，获得了同样运行环境下IGBT4与IGBT7的结温对照。试验结果显示，在持续大功率负载运行环境与惯量盘负载运行环境的对照检测中，IGBT7的结温均小于IGBT4。

伺服驱动系统响应速率快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更加是对功率器件确立了更严苛的需求。

IGBT7借助于超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温、很好契合伺服驱动器的全部要求需求。

依托于IGBT7的伺服驱动完整解决方法，可有效提升功率密度。驱动芯片选用无磁芯变压器1EDI20I12MH。由于IGBT7特有的电容构造，不会寄生导通，所以能够选用单电源设计，较大程度上优化了驱动设计。

主控MCU选用XMC4700/4800，电机位置检测选用TLE5109，实现转速与位置的精准控制。

为了对照IGBT4与IGBT7在伺服驱动中的表现，我们选用了同一个平台的2台伺服驱动，分别搭载PIN脚布局同样的FP35R12W2T4与FP35R12W2T7，在同样dv/dt条件下（dv/dt=5600V/us），进行检测。

我们设计了2种典型运行环境对照方案，来对照IGBT4与IGBT7在同样的运行环境下的结温，分别是持续大负载对照检测与惯量负载对照检测。待测igbt模块模块内的igbt模块芯片上预埋热电偶，利用将热电偶连接数据采集仪，能够直接读取igbt模块芯片结温。

以上就是传承电子对IGBT7与IGBT4两种典型运行环境对照方案的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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